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Schlüsselwörter [ graphite block for semiconductor ] Spiel 21 produits.

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Hochdichte Graphitblock für Halbleiter 125 W/mK Wärmeleitfähigkeit

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg

Partikelgröße	6 Mikrometer
Reinheit	99.99%
Anwendungstemperatur	Bis zu 3000°C
Wärmeleitfähigkeit	125 W/mK
Dichte	10,85 g/cm3

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5 μm Graphitblock für Halbleiter

Preis: USD 0.9/KG MOQ: 1000 kg

Massendichte	10,85 g/cm3
Druckfestigkeit	Mpa 120
Flexuralstärke	65 Mpa
elektrischer Widerstand	13 bis 15 μΩ.m
Aschegehalt	200/50 PPM

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6 Mikronen isostatischer Halbleiter Graphitblock Niedrige Ausdehnung 125 MPa

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg

Partikelgröße	6 Mikrometer
Reinheit	99.99%
Anwendungstemperatur	Bis zu 3000°C
Wärmeleitfähigkeit	125 W/mK
Dichte	10,85 g/cm3

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Hochreine isostatische Halbleiter Graphitblöcke hohe Dichte 1,85 g/cm3

Preis: USD 8.0/KG MOQ: 1000 kg

Massendichte	10,85 g/cm3
Druckfestigkeit	125 MPa
Flexuralstärke	65 Mpa
elektrischer Widerstand	13 bis 15 μΩ.m
Shorehärte	70 HSD

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1.85 G/Cm3 Isostatischer Halbleiter Graphit Block 70 HSD mit geringer thermischer Expansion

Preis: USD 0.9/KG MOQ: 1000 kg

Massendichte	10,85 g/cm3
Druckfestigkeit	125 MPa
Flexuralstärke	65 Mpa
elektrischer Widerstand	13 bis 15 μΩ.m
Aschegehalt	200/50 PPM

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8 μm Korngröße Halbleiter Graphit Isostatik mit guter Schmierung

Preis: USD 0.9/KG MOQ: 1000 kg

Massendichte	10,85 g/cm3
Druckfestigkeit	115 Mpa
Flexuralstärke	Mpa 60
elektrischer Widerstand	12 bis 14 μΩ.m
Aschegehalt	200/50 PPM

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Graphitblock für die Sekundärbatteriesinternen und Halbleiterindustrie

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg

Flexuralstärke	50 MPa
Wärmeleitfähigkeit	105 W/mK
Dichte	10,81 g/cm3
Reinheit	99.95%
Koeffizient der thermischen Ausdehnung	5.4 x 10^-6 /K

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Halbleiter-Silizium-Wafer-Graphit-Block mit hoher Dichte

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg

Partikelgröße	6 Mikrometer
Reinheit	99.99%
Anwendungstemperatur	Bis zu 3000°C
Wärmeleitfähigkeit	125 W/mK
Dichte	10,85 g/cm3

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Silizium-Wachstum Nutzung 1.81 Dichte Halbleiter isostatischer Graphitblock

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg

Art der Ware	Graphit
Anwendung	Photovoltaik
Farbe	Schwarz
Elektrische Leitfähigkeit	100 W/m.k
Schmelzpunkt	3652°C

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Graphit mit geringer Expansionsdichte Halbleiter Graphit mit Siliziumwachstum

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg

Partikelgröße	6 Mikrometer
Reinheit	99.99%
Anwendungstemperatur	Bis zu 3000°C
Wärmeleitfähigkeit	125 W/mK
Dichte	10,85 g/cm3

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