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Hochdichte Graphitblock für Halbleiter 125 W/mK Wärmeleitfähigkeit

5 μm Graphitblock für Halbleiter

6 Mikronen isostatischer Halbleiter Graphitblock Niedrige Ausdehnung 125 MPa

Hochreine isostatische Halbleiter Graphitblöcke hohe Dichte 1,85 g/cm3

1.85 G/Cm3 Isostatischer Halbleiter Graphit Block 70 HSD mit geringer thermischer Expansion

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Graphit mit geringer Expansionsdichte Halbleiter Graphit mit Siliziumwachstum

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg

Partikelgröße	6 Mikrometer
Reinheit	99.99%
Anwendungstemperatur	Bis zu 3000°C
Wärmeleitfähigkeit	125 W/mK
Dichte	10,85 g/cm3

Graphitblock für die Sekundärbatteriesinternen und Halbleiterindustrie

Halbleiter-Silizium-Wafer-Graphit-Block mit hoher Dichte

Silizium-Wachstum Nutzung 1.81 Dichte Halbleiter isostatischer Graphitblock

Graphit mit geringer Expansionsdichte Halbleiter Graphit mit Siliziumwachstum

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Hochreine isostatische Halbleiter Graphitblöcke hohe Dichte 1,85 g/cm3

1.85 G/Cm3 Isostatischer Halbleiter Graphit Block 70 HSD mit geringer thermischer Expansion

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Halbleiter-Silizium-Wafer-Graphit-Block mit hoher Dichte

Silizium-Wachstum Nutzung 1.81 Dichte Halbleiter isostatischer Graphitblock

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