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VIDEO China 5 μm Graphitblock für Halbleiter

5 μm Graphitblock für Halbleiter

Preis: USD 0.9/KG MOQ: 1000 kg
Massendichte 10,85 g/cm3
Druckfestigkeit Mpa 120
Flexuralstärke 65 Mpa
elektrischer Widerstand 13 bis 15 μΩ.m
Aschegehalt 200/50 PPM
VIDEO China Hochdichte Halbleiter-Graphitblock

Hochdichte Halbleiter-Graphitblock

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg
Partikelgröße 6 Mikrometer
Reinheit 99.99%
Anwendungstemperatur Bis zu 3000°C
Wärmeleitfähigkeit 125 W/mK
Dichte 10,85 g/cm3
VIDEO China 8 μm Korngröße Halbleiter Graphit Isostatik mit guter Schmierung

8 μm Korngröße Halbleiter Graphit Isostatik mit guter Schmierung

Preis: USD 0.9/KG MOQ: 1000 kg
Massendichte 10,85 g/cm3
Druckfestigkeit 115 Mpa
Flexuralstärke Mpa 60
elektrischer Widerstand 12 bis 14 μΩ.m
Aschegehalt 200/50 PPM
VIDEO China Hochdichte Graphitblock für Halbleiter 125 W/mK Wärmeleitfähigkeit

Hochdichte Graphitblock für Halbleiter 125 W/mK Wärmeleitfähigkeit

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg
Partikelgröße 6 Mikrometer
Reinheit 99.99%
Anwendungstemperatur Bis zu 3000°C
Wärmeleitfähigkeit 125 W/mK
Dichte 10,85 g/cm3
VIDEO China Hochdichte Halbleitergraphit 120 Mpa Glatte isostatische Graphitblock

Hochdichte Halbleitergraphit 120 Mpa Glatte isostatische Graphitblock

Preis: USD 0.9/KG MOQ: 1000 kg
Massendichte 10,85 g/cm3
Druckfestigkeit Mpa 120
Flexuralstärke 62 Mpa
elektrischer Widerstand 13 bis 15 μΩ.m
Aschegehalt 200/50 PPM
VIDEO China Isostatischer Graphitblock mit extremer Produktleistung für die Halbleiterindustrie

Isostatischer Graphitblock mit extremer Produktleistung für die Halbleiterindustrie

Preis: USD 0.9/KG MOQ: 1000 kg
Massendichte 10,85 g/cm3
Druckfestigkeit 125 MPa
Flexuralstärke 65 Mpa
elektrischer Widerstand 13 bis 15 μΩ.m
Aschegehalt 200/50 PPM
VIDEO China 1.85 G/Cm3 Isostatischer Halbleiter Graphit Block 70 HSD mit geringer thermischer Expansion

1.85 G/Cm3 Isostatischer Halbleiter Graphit Block 70 HSD mit geringer thermischer Expansion

Preis: USD 0.9/KG MOQ: 1000 kg
Massendichte 10,85 g/cm3
Druckfestigkeit 125 MPa
Flexuralstärke 65 Mpa
elektrischer Widerstand 13 bis 15 μΩ.m
Aschegehalt 200/50 PPM
VIDEO China Hochdichte-Kohlenstoff-Graphit-Block 125 MPa für Halbleiter-Silizium-Wachstum

Hochdichte-Kohlenstoff-Graphit-Block 125 MPa für Halbleiter-Silizium-Wachstum

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg
Partikelgröße 6 Mikrometer
Reinheit 99.99%
Anwendungstemperatur Bis zu 3000°C
Wärmeleitfähigkeit 125 W/mK
Dichte 10,85 g/cm3
VIDEO China Dunkelgrauer Halbleitergraphit 5 μm Körnengröße Ultrafein isostatischer Graphitblock

Dunkelgrauer Halbleitergraphit 5 μm Körnengröße Ultrafein isostatischer Graphitblock

Preis: USD 0.9/KG MOQ: 1000 kg
Massendichte 10,85 g/cm3
Druckfestigkeit 125 MPa
Flexuralstärke 65 Mpa
elektrischer Widerstand 13 bis 15 μΩ.m
Aschegehalt 200/50 PPM
VIDEO China Halbleiter-Silizium-Wafer-Graphit-Block mit hoher Dichte

Halbleiter-Silizium-Wafer-Graphit-Block mit hoher Dichte

Preis: 1 USD/KG MOQ: 1 kg
Partikelgröße 6 Mikrometer
Reinheit 99.99%
Anwendungstemperatur Bis zu 3000°C
Wärmeleitfähigkeit 125 W/mK
Dichte 10,85 g/cm3
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